5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期借助单元多层键合（CMB）技术将两片450层3D NAND连接起来，打造出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，该样品的存储单元工作特性已通过验证。
该技术的核心在于两片450层晶圆的垂直整合，以此突破了传统单次堆叠的极限。
三星自研“上部卡盘”技术解决高层堆叠晶圆翘曲难题，新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级，保障良率。
同时优化位线（BL）与字线（WL）结构，在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。
作为AI服务器、数据中心SSD及高端手机存储核心，3D NAND层数直接决定存储密度。
当前量产市场中，SK海力士凭借321层4D NAND处于领先地位；三星不仅计划在年内实现400层以上第十代V-NAND的量产，此次推出的900层原型更是进一步拉大了双方的技术差距。
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