iPhone 18 Pro系列主板图曝光：私自扩容手机恐报废，双层散热设计不再采用

7月7日有消息称，6月下旬，作为苹果在印度布局的核心供应商之一，塔塔电子发生了一起严重的网络安全事件，导致尚未正式发布、仍处于内部保密阶段的iPhone 18相关资料被黑客提前泄露。

在此次泄露的所有内容中，技术参考价值最高的当属iPhone 18 Pro系列的完整主板设计图。从图中能够明确看到，苹果沿用多年的双层主板夹心SoC方案已被彻底弃用。

从泄露的iPhone 18 Pro主板设计图能直观看到，苹果保留了此前广受好评的L型异形主板设计，同时把A20 Pro芯片直接外置到主板表层。

这样的设计是让SoC可以直接和机身内部的散热石墨、VC均热板等散热介质直接接触，热量不需要穿透多层PCB板就能向外散发，芯片工作的整体热阻得到大幅降低，长时间高负载运行的温控表现会有明显提升。

除此之外，iPhone 18 Pro原本直接外露的NAND闪存，被调整到了两层主板的中间夹层位置，机身外层完全没办法直接接触到硬盘芯片。

后续如果用户想要做手机硬盘扩容操作，必须先通过高温把双层主板加热分层，更换完对应容量的硬盘芯片之后，还要重新做植锡工艺把两层主板精密贴合到一起，整个操作的工艺难度、耗费工时、操作报废风险都有大幅提升，稍有不慎甚至可能直接导致整台手机报废。

从曝光的主板设计图中还可确认，高通骁龙X80 5G基带具备6Rx接收能力，下行速率达10Gbps、上行速率为3.5Gbps；其搭配的高通SDR740双射频IC，以及多组独立影像供电芯片（包括广角供电U6100、长焦供电U6300、LiDAR供电U6400、相机主电源U5600），还有UWB超宽带模块U_ARROW_R等硬件配置，均属于Pro系列的常规迭代升级，并未出现超出预期的黑科技配置。