三星计划对存储芯片产能作出调整，将NAND闪存产线调整至DRAM

据媒体报道，三星电子正在开启存储芯片产能方面的重大战略调整，打算把韩国平泽与华城工厂的部分NAND闪存生产线转变为DRAM生产线。

这一行动源于市场需求出现明显分化——据业内消息，三星在NAND闪存市场的态度偏向谨慎，然而在DRAM需求方面却采取积极应对的策略。

此前行业报告已指出，包括三星、SK海力士、铠侠和美光在内的全球四大NAND厂商，均计划在2025下半年削减NAND产量，此举将进一步推高闪存价格。

当前DRAM市场正经历剧烈波动，价格快速攀升。部分服务器客户为获取DDR5模块甚至愿意支付70%的溢价，但仍面临供应短缺困境。

有科技公司预判，DRAM紧缺态势可能延续数年，已提前就2027年的产能分配展开谈判。

需要留意的是，三星在削减韩国本土NAND产能之际，计划借助提高中国西安工厂的产量来达成战略平衡，以保障全球NAND供应链的稳定。